Транзисторы
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
---|---|---|---|---|
IRL3705N | Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) | 5 | 257.04 руб. | |
IRL540NPBF | Полевой транзистор N-канальный 100V 36A 140W 0,044R | 144 | 99.24 руб. | |
IRLL014N | Транзистор полевой SMD | 8 | 35.90 руб. | |
IRLL014NTRPBF | 2 640 | 31.82 руб. | ||
IRLR2705 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 240 | 52.80 руб. | |
IRLR2905TRPBF | N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W | 3 200 | 55.14 руб. | |
IRLU120NPBF | МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak | 600 | 141.70 руб. | |
IRLZ44NPBF | Полевой транзистор N-канальный 55V 47A 110W 0,022R | 2 080 | 200.74 руб. | |
SPP03N60S5 | N-Ch 600V 3,2A 38W 1,4R | 11 200 | 95.64 руб. | |
SPW20N60C3 | Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | 160 | 318.82 руб. | |
STP10NK60ZFP | Полупроводниковый компонент TO220ISO | 248 | 46.32 руб. | |
STP10NK80ZFP | N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-220fp zener-protected supermeshtm mosfet | 672 | 217.70 руб. | |
STP12PF06 | 80 | 110.16 руб. | ||
STP4NK60ZFP | N-MOS 600V, 4A, 25W | 28 | 249.22 руб. | |
STP55NF06 | Полевой транзистор | 540 | 55.92 руб. | |
STP5NK60ZFP | N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet | 26 | 159.12 руб. | |
STP5NK80ZFP | N-channel 800v - 1.9? - 4.3a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet | 36 | ||
STP75NF75 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт | 2 840 | 67.13 руб. | |
STW4N150 | N-Ch 1500V 4A 160W 5R | 452 | 176.38 руб. | |
STW14NK50Z | Транзистор N-Канальный+Zener-Diod 500V, 14A, 150W, 0,38R | 8 | 422.28 руб. | |
IRLI520N | Hexfet power mosfets discrete n-channel | 80 | 214.20 руб. | |
IRLML6402 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 256 000 | 5.90 руб. | |
IRLL024NTRPBF | 4 480 | 72.03 руб. | ||
2N7002E | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | 11 200 | 1.73 руб. | |
BSN20 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 2.04 руб. | |
BSP220 | P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 799 | 29.41 руб. | |
BSP250 | P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 35 | 73.81 руб. | |
BSS123LT1G | Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | 416 | 8.40 руб. | |
FDB2532 | 20v n-channel powertrench mosfet | 6 | 710.84 руб. | |
FDN335N | N-channel 2.5v specified powertrench mosfet | 9 600 | 3.46 руб. | |
FDN357N | N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 7 200 | 9.23 руб. | |
FDN5630 | 60v n-channel powertrench mosfet | 7 120 | 6.91 руб. | |
IRF630 | Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт | 533 | 94.86 руб. | |
IRF640S | N-канальный 200В 18А | 182 | 108.00 руб. | |
IRFIB7N50APBF | Полевой транзистор | 568 | 153.50 руб. | |
IRFR220 | Транзистор полевой N-канальный 4.6A, 200V | 80 | 79.56 руб. | |
IRFR3910PBF | Транзистор N-Канальный 100V 16A 79W 0,115R | 44 | 73.92 руб. | |
IRFZ24N | Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W | 80 | 85.68 руб. | |
IRFZ34NS | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 71 | 137.28 руб. | |
IRLML5103 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 9 600 | 9.79 руб. | |
IRLR8103V | Hexfet power mosfets discrete n-channel | 14 | 92.93 руб. | |
NDS331N | Транзистор | 56 | 15.46 руб. | |
NDS7002A | N-channel enhancement mode field effect transistor | 2 | 49.59 руб. | |
PMV213SN | N-канальный utrenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet | 4 | ||
STP11NK50ZFP | N-channel 500 v, 0.48 ? , 10 a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet | 15 | 95.16 руб. | |
STS6NF20V | N-channel 20v - 0.030 w - 6a so-8 2.7v-drive stripfet™ ii power mosfet | 33 | 84.48 руб. | |
STP4NK80Z | Полевой транзистор | 1 | 295.20 руб. | |
2N7002K | N-channel enhancement mode field effect transistor | 20 240 | 1.32 руб. | |
IRFR9310PBF | Транзистор полевой P-канальный (Vds=-400V, Id=-1.8A@T=25C, Id=-1.1A@T=100C, Rds=0,7.0 R, P=50W, -55 to +150C). | 24 | ||
IRF710 | Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А | 266 | 55.08 руб. | |