IRF9Z14PBF
Версия для печати
Hexfet® power mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF9Z14PBF (VISHAY) | 160 | 205.83 руб. | |
Технические характеристики IRF9Z14PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Power - Max | 43W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF9Z14PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
