IRF620PBF
Версия для печати
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A корпус TO-220AB.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF620PBF (VISHAY) | 136 | 67.31 руб. | |
Технические характеристики IRF620PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF620PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
