IRF9Z34S
Версия для печати
P-канальный Полевой транзистор (Vds=60V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.14 R@Vgs=10V, P=88W, -55 to +175C).Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF9Z34S | 136 | 105.60 руб. | |
Технические характеристики IRF9Z34S
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| Power - Max | 3.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRF9Z34S P-канальные транзисторные модули 60V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9Z34S
Производитель:
|
||
