IRF7413
Версия для печати
Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7413 | 4640 | 27.34 руб. | |
Технические характеристики IRF7413
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 79nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7413ZPBF Power MOSFET
Производитель:
|
||
