IRF640PBF
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (200В, 18А)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF640PBF (VISHAY) | 191 | 125.36 руб. | |
Технические характеристики IRF640PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF640PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
