IRF7204PBF
Версия для печати Сдвоенные N-канальный с упр. логич. уровнем Vси = 20 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = 5.2AНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF7204PBF | 6 | 84.48 руб. | |
Технические характеристики IRF7204PBF
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5.3A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 860pF @ 10V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |