FQPF10N60C
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| FQPF10N60C (ONS) | 182 | 304.51 руб. | |
Технические характеристики FQPF10N60C
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2040pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
|
FQP10N60C 600V N-Channel MOSFET Также в этом файле: FQPF10N60C
Производитель:
|
||
