Полупроводники
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
---|---|---|---|---|
IRFPC50PBF | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 11A, 180W, 0.6R) | 352 | 590.40 руб. | |
IRFPE50 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, P=190W, -55 to +150C) | 292 | 191.06 руб. | |
IRFPE50PBF | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vси = 800 В, Rоткр = 1.2 Ом, Id(25°C) = 7.8 A) | 400 | 767.52 руб. | |
IRFPG50 | Транзистор полевой | 4 | ||
IRFPS40N50L | Транзистор полевой N-канальный 500В 40А | 2 | 802.56 руб. | |
IRFR024NPBF | Полевой транзистор N-Канальный 55V 16A 38W 0,075R | 272 | 50.69 руб. | |
IRFR320TRPBF | 2 800 | 66.97 руб. | ||
IRFR3410 | Hexfet power mosfets discrete n-channel | 1 860 | 44.83 руб. | |
IRFR3412 | Hexfet power mosfets discrete n-channel | 3 | 126.72 руб. | |
IRFR3910 | Транзистор полевой N-канальный | 1 920 | 38.72 руб. | |
IRFR420PBF | Полевой транзистор N-канальный (500V, 2.4A, 42W, 3.0R) | 3 120 | 88.85 руб. | |
IRFR5305PBF | Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 Ohm(max), P=110W, -55 to +175C) | 2 060 | 42.97 руб. | |
IRFR5305TRPBF | Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 Ohm(max), P=110W, -55 to +175C) | 2 208 | 84.91 руб. | |
IRFR5410PBF | МОП-Транзистор, P-канальный, Vси = -100В, Rоткр = 0.205 Ом, Ic = -13A, 89Вт | 1 840 | 101.55 руб. | |
IRFR9210 | Hexfet® power mosfet | 40 | ||
IRFU5305PBF | 1 200 | 70.99 руб. | ||
IRFZ24NPBF | N-канальный Полевой транзистор, VDS,В 70 mOhm @ 10A, 10V, ID 4V @ 250µA, Ptot,Вт 45W | 640 | 66.12 руб. | |
IRFZ44E | Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W | 8 | 122.40 руб. | |
IRFZ44N | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C) | 800 | 122.40 руб. | |
IRFZ44NPBF | N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 mOhm(typ), P=94W, -55 to +175C), Pb-free. | 8 800 | 35.42 руб. | |
IRFZ44NS | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C). | 2 560 | 35.50 руб. | |
IRFZ46N | Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W | 320 | 48.50 руб. | |
IRL3705N | Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level) | 5 | 257.04 руб. | |
IRL540NPBF | Полевой транзистор N-канальный 100V 36A 140W 0,044R | 144 | 99.24 руб. | |
IRLL014N | Транзистор полевой SMD | 8 | 35.90 руб. | |
IRLL014NTRPBF | 2 640 | 31.82 руб. | ||
IRLR2705 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 240 | 52.80 руб. | |
IRLR2905TRPBF | N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W | 3 200 | 55.14 руб. | |
IRLU120NPBF | МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak | 600 | 141.70 руб. | |
IRLZ44NPBF | Полевой транзистор N-канальный 55V 47A 110W 0,022R | 2 080 | 200.74 руб. | |
SPP03N60S5 | N-Ch 600V 3,2A 38W 1,4R | 11 200 | 95.64 руб. | |
SPW20N60C3 | Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | 160 | 318.82 руб. | |
STP10NK60ZFP | Полупроводниковый компонент TO220ISO | 248 | 46.32 руб. | |
STP10NK80ZFP | N-channel 800v - 0.78? - 9a - to-220fp zener-protected supermeshtm mosfet | 672 | 217.70 руб. | |
STP12PF06 | 80 | 110.16 руб. | ||
STP4NK60ZFP | N-MOS 600V, 4A, 25W | 28 | 249.22 руб. | |
STP55NF06 | Полевой транзистор | 540 | 55.92 руб. | |
STP5NK60ZFP | N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet | 26 | 159.12 руб. | |
STP5NK80ZFP | N-channel 800v - 1.9? - 4.3a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet | 36 | ||
STP75NF75 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт | 2 840 | 67.13 руб. | |
STW4N150 | N-Ch 1500V 4A 160W 5R | 452 | 176.38 руб. | |
STW14NK50Z | Транзистор N-Канальный+Zener-Diod 500V, 14A, 150W, 0,38R | 8 | 422.28 руб. | |
IRLI520N | Hexfet power mosfets discrete n-channel | 80 | 214.20 руб. | |
IRLML6402 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 256 000 | 5.90 руб. | |
IRLL024NTRPBF | 4 480 | 72.03 руб. | ||
2N7002E | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) | 11 200 | 1.73 руб. | |
BSN20 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 2.04 руб. | |
BSP220 | P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 799 | 29.41 руб. | |
BSP250 | P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 35 | 73.81 руб. | |
BSS123LT1G | Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | 416 | 8.40 руб. | |