IRF1404Z
Версия для печати
Hexfet power mosfets discrete n-channelНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF1404Z | 1800 | 50.88 руб. | |
Технические характеристики IRF1404Z
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4340pF @ 25V |
| Power - Max | 220W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF1404Z MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
||
