IRF7832
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=30V, Id=20A@T=25C, Id=16A@T=70C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7832 (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 8 | 189.72 руб. | |
Технические характеристики IRF7832
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.32V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4310pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7832 Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||
