ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
BPW21R
|
Фотодиод 560нм МАЛОШУМ.100' | 752 | 1 110.69 руб. | |
BPW34
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130° | 600 | 72.03 руб. | |
BPW41N
|
ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт | 800 | 80.78 руб. | |
| BPW85B | Фототранзистор 830нм 50' | 16 | 42.51 руб. | |
BPW85C
|
Фототранзистор 3мм, 620.980 нм | 23 | 30.46 руб. | |
| BQ-M51DRD | Семисегм. индикатор, 4 разряда, красный, 660nm, Iv=7,5mcd@10mA, общ. анод, размер символа 14,20х8,10мм, -40С/+80С | 16 | 295.68 руб. | |
| BQ2031SN-A5 | 17 | 401.28 руб. | ||
| BQ24012DRCR | 4 |
|
||
| BQ24070RHLR | 188 | 265.32 руб. | ||
| BQ24075TRGTT | 8 |
|
||
| BQ24090DGQR | 30 | 452.32 руб. | ||
| BQ24100RHLR | IC LI-ION/POL CHARGE MGMT (4.35 V ~ 16 V, 40°C ~ 85°C) | 393 | 418.18 руб. | |
BQ24315DSGR
|
11 | 105.12 руб. | ||
| BQ24620EVM | 2 | 13 094.40 руб. | ||
| BQ24650RVAR | 80 | 590.40 руб. | ||
BQ24703EVM
|
2 | 8 448.00 руб. | ||
| BR100/03 | ДИНИСТОР 28-36В 2А DO35 | 4 |
|
|
| BR1010 | Диодный мост выводной | 82 | 92.40 руб. | |
| BR24C64 | CMOS EEPROM 64K (8192x8) I2C-bus, | 53 | 140.76 руб. | |
BR24L08FJ-WE2
|
34 | 69.70 руб. | ||
| BR310 | ДиодНЫЕ мостЫ 3A 1000V | 6 | 30.70 руб. | |
| BR810 | ДиодНЫЙ МОСТ 1000V 8A | 17 | 105.60 руб. | |
| BRL1608T100M | 300 | 20.43 руб. | ||
| BRS-1A12 | 1 200 | 153.50 руб. | ||
BS-115C-12A-12VDC
|
Реле электромеханическое +12В/10А | 2 | 173.18 руб. | |
| BS170FTA | 307 | 103.13 руб. | ||
| BS25 | 120 | 1 535.04 руб. | ||
| BS62LV256PC-70 | 2 | 416.06 руб. | ||
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 263 | 180.00 руб. | |
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 263 | 180.00 руб. | |
| BSM400GA120DLCS | Тиристор | 1 | 24 750.53 руб. | |
BSN20
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 2.44 руб. | |
| BSN254A | Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D) | 4 641 | 317.95 руб. | |
| BSP170P | 800 | 35.93 руб. | ||
BSP220
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 799 | 29.41 руб. | |
BSP250
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 35 | 77.50 руб. | |
| BSP254A | 80 | 128.52 руб. | ||
| BSP297 | 80 |
|
||
| BSP317P | 4 651 |
|
||
| BSP52 | Транзистор биполярный составной NPN-Darl+Dio 80V 1A 1,5W B>1000 | 800 |
|
|
| BSP52T1G | NPN-Darl 80V 1A 0,8W | 145 | 7.20 руб. | |
| BSP742T | Smart Power High-Side-Switch 5...34V 0.4Ohm 1.1A, DSO8 | 3 992 | 126.72 руб. | |
| BSP752R | 60 | 228.00 руб. | ||
| BSP762T | 3 |
|
||
| BSP88 | 103 | 67.39 руб. | ||
BSP89 E6327
|
13 168 |
|
||
BSP89,115
|
24 |
|
||
| BSP92 | P-канальный Полевой транзистор (Vds=240V, Id=200mA, Rds=20 R), smd. | 533 | 94.86 руб. | |
BSR14
|
Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23 | 2 400 | 13 697.67 руб. | |
| BSR15 | Транзистор биполярный SMD | 96 |
|
|
