ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
|
Наименование
|
Описание
|
Кол-во
|
Цена
|
Купить
|
|---|---|---|---|---|
BLM31PG601SN1L
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A | 17 680 | 17.73 руб. | |
BLM41AF151SN1L
|
Дроссель ферромагнитный SMD 1806 0.2A 0 | 26 | 9.45 руб. | |
BLM41PG102SN1L
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | 8 |
|
|
BLM41PG181SN1L
|
Дроссель ферромагнитный SMD 1806 3A 0.02 | 80 |
|
|
| BLM41PG471SN1L | 400 | 48.73 руб. | ||
BLM41PG600SN1L
|
Дроссель ферромагнитный SMD 1806, 6A, 60Ом | 3 600 | 16.53 руб. | |
| BLM41PG750SN1L | Дроссель ферромагнитный SMD 1806 3A 0.02 | 1 280 | 24.61 руб. | |
| BLT81 | ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб | 45 | 168.96 руб. | |
| BLX93A | 22 | 1 651.58 руб. | ||
| BNP002-02 | 1 377 | 1 152.00 руб. | ||
BNX012-01
|
LC фильтр, широкополосный фильтр ЭМП 10А, 50В DC, 1МГц ... 1ГГц, 40dB, 12x11x18мм | 1 558 | 523.15 руб. | |
BNX016-01
|
LC фильтр, фильтр подавления ЭМП | 3 600 | 194.16 руб. | |
| BNX022-01L | Фильтр помехоподавляющий (50Vdc, 10A, EMI .5GOHM, 1M-1GHZ, SMD, Fcenter=50MHz, 35dB @ 1MHz ~ 1GHz, (12.10x9.10x3.10)mm | 255 | 498.69 руб. | |
| BNX023-01L | 1 680 | 293.62 руб. | ||
BPV10NF
|
PIN фотодиод 5мм, 60В, черный, 40°, 215мВт, 60мА | 4 500 | 43.36 руб. | |
| BPW17N | 3 600 | 46.05 руб. | ||
| BPW20RF | Фототранзистор инфракрачный | 536 | 826.56 руб. | |
BPW21R
|
Фотодиод 560нм МАЛОШУМ.100' | 800 | 1 157.18 руб. | |
BPW34
|
PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130° | 2 240 | 75.57 руб. | |
| BPW85B | Фототранзистор 830нм 50' | 16 | 43.69 руб. | |
| BQ-M51DRD | Семисегм. индикатор, 4 разряда, красный, 660nm, Iv=7,5mcd@10mA, общ. анод, размер символа 14,20х8,10мм, -40С/+80С | 16 | 295.68 руб. | |
| BQ2031SN-A5 | 17 | 401.28 руб. | ||
| BQ24012DRCR | 4 |
|
||
| BQ24070RHLR | 188 | 238.80 руб. | ||
| BQ24075TRGTT | 8 |
|
||
| BQ24090DGQR | 30 | 452.32 руб. | ||
| BQ24100RHLR | IC LI-ION/POL CHARGE MGMT (4.35 V ~ 16 V, 40°C ~ 85°C) | 396 | 387.13 руб. | |
BQ24315DSGR
|
11 | 100.11 руб. | ||
| BQ24620EVM | 2 | 13 094.40 руб. | ||
| BQ24650RVAR | 80 | 602.21 руб. | ||
BQ24703EVM
|
2 | 8 448.00 руб. | ||
| BR100/03 | ДИНИСТОР 28-36В 2А DO35 | 4 |
|
|
| BR1010 | Диодный мост выводной | 82 | 92.40 руб. | |
| BR24C64 | CMOS EEPROM 64K (8192x8) I2C-bus, | 53 | 140.76 руб. | |
BR24L08FJ-WE2
|
34 | 69.70 руб. | ||
| BR310 | ДиодНЫЕ мостЫ 3A 1000V | 6 | 31.88 руб. | |
| BR810 | ДиодНЫЙ МОСТ 1000V 8A | 17 | 105.60 руб. | |
| BRL1608T100M | 300 | 20.82 руб. | ||
| BRS-1A12 | 1 280 | 165.31 руб. | ||
BS-115C-12A-12VDC
|
Реле электромеханическое +12В/10А | 2 | 173.18 руб. | |
| BS170FTA | 307 | 105.15 руб. | ||
| BS25 | 120 | 1 771.20 руб. | ||
| BS62LV256PC-70 | 2 | 416.06 руб. | ||
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 263 | 180.00 руб. | |
| BS62LV256SIP-70 | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V, -40 to +85C), Pb-free. | 263 | 180.00 руб. | |
| BSM400GA120DLCS | Тиристор | 1 | 24 750.53 руб. | |
BSN20
|
N-channel enhancement mode field-effect transistor | 6 800 | 2.04 руб. | |
| BSN254A | Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D) | 4 642 | 324.11 руб. | |
| BSP170P | 1 160 | 32.34 руб. | ||
BSP220
|
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor | 799 | 29.41 руб. | |
