Si2312BDS
Версия для печати
N-channel 20-v (d-s) mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| SI2312BDS | 5600 | 4.33 руб. | |
Технические характеристики Si2312BDS
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Power - Max | 750mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
|
Si2312BDS MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
||
