Si2312BDS

Версия для печати N-channel 20-v (d-s) mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
 
SI2312BDS 5600 4.33 руб. 

Технические характеристики Si2312BDS

Серия TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.9A
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Power - Max 750mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
Si2312BDS
MOSFET

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si2312BDS.pdf
108.8 Кб