Si2312BDS

N-channel 20-v (d-s) mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
SI2312BDS 5600 4.33

Технические характеристики Si2312BDS

Параметр
Значение
Серия TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.9A
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Power - Max 750mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru