IRFB9N65APBF
Версия для печати
Транзистор N-Канальный 650V 8,5A 167W 0,93RНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFB9N65APBF (VISHAY) | 72 | 467.16 руб. | |
Технические характеристики IRFB9N65APBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1417pF @ 25V |
| Power - Max | 167W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFB9N65APBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
