IRFB9N65APBF

Транзистор N-Канальный 650V 8,5A 167W 0,93R

Наименование
Кол-во
Цена
IRFB9N65APBF (VISHAY) 64 472.06

Технические характеристики IRFB9N65APBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 5.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 48nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1417pF @ 25V
Power - Max 167W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru