BC857B
Версия для печати
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>100MHz)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BC857B | 47200 | 1.01 руб. | |
Описание BC857B
Маломощный P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Структура P-N-P
Uк-э.макс. -45V
Uк-б.макс. -50V
Iк.макс. 100mA
Iк.имп.макс. 200mA
Fгр. 100MHz
Pрасс.макс. 250mW
Cк 4,5pF(тип.)
Шумы 2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe 220..475
Диапазон рабочих температур -65..+150°С
Маркировка 3F
Аналог ~КТ3130
Технические характеристики BC857B
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
||
