Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
---|---|---|
BC857B | 47200 | 1.01 |
Маломощный P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Структура P-N-P
Uк-э.макс. -45V
Uк-б.макс. -50V
Iк.макс. 100mA
Iк.имп.макс. 200mA
Fгр. 100MHz
Pрасс.макс. 250mW
Cк 4,5pF(тип.)
Шумы 2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe 220..475
Диапазон рабочих температур -65..+150°С
Маркировка 3F
Аналог ~КТ3130
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |