BC857B

Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>100MHz)

Наименование
Кол-во
Цена
BC857B 47200 1.01

Описание BC857B

Маломощный P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.

Структура     P-N-P
Uк-э.макс.     -45V
Uк-б.макс.     -50V
Iк.макс.     100mA
Iк.имп.макс.     200mA
Fгр.             100MHz
Pрасс.макс.     250mW
Cк     4,5pF(тип.)
Шумы     2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe          220..475
Диапазон рабочих температур     -65..+150°С
Маркировка     3F
Аналог     ~КТ3130

Технические характеристики BC857B

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 250mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru