2N5551

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N5551 (DIOTEC) 4410 6.72 руб. 

Описание 2N5551

NPN транзисторы разработаны для высоковольтных усилителей общего применения и драйверов газоразрядных дисплеев.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В    180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В    160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)    0.6
Статический коэффициент передачи тока hfe мин    30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц    300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт    0.625
Диапазон рабочих температур, оС    -65…150

Технические характеристики 2N5551

Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Power - Max 625mW
Frequency - Transition 300MHz
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус TO-92-3
2N5551

NPN Transistors

Производитель:
Weitron Technology
http://www.weitron.com.tw

2n5551.pdf
171.23Kb
4стр.