Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
---|---|---|
2N5551 (DIOTEC) | 4410 | 6.72 |
NPN транзисторы разработаны для высоковольтных усилителей общего применения и драйверов газоразрядных дисплеев.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока hfe мин 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Диапазон рабочих температур, оС -65…150
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Power - Max | 625mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Корпус | TO-92-3 |