КТ503В

Описание КТ503В

Транзисторы КТ503В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.
 Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 5.00
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.35
Корпус KT-26