Si7232DN-T1-GE3
![](http://www.kontest.ru/images/printer.gif)
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
SI7232DN-T1-GE3 (VISHAY) | 5 | 129.40 руб. | |
Технические характеристики Si7232DN-T1-GE3
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 25A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Серия | TrenchFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 8V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1220pF @ 10V |
Power - Max | 23W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 |
Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
![](/images/nofoto_200.gif)