IRF7343PBF

Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, Id(25oC)=-3.4/4.7A

Наименование
Кол-во
Цена
IRF7343PBF 5 Заказ радиодеталей

Технические характеристики IRF7343PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.7A, 3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 740pF @ 25V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO

Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru