IRF7104
Версия для печати
Сдвоенный P-канальный Полевой транзистор (Vds=20V, Id=2.3A@t=25C, 1.8A@t=70C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7104 | 2040 | 36.71 руб. | |
Технические характеристики IRF7104
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7104 P-канальные транзисторные модули Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
||
