BSS138DW
Dual n-channel enhancement mode field effect transistorНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| BSS138DW (GALAXY ME) | 3123 | 5.80 |
Технические характеристики BSS138DW
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru