SUD50N04-8M8P-4GE3
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| SUD50N04-8M8P-4GE3 (VISHAY) | 1 | 70.59 |
Описание SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO-252Технические характеристики SUD50N04-8M8P-4GE3
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 20V |
| Power - Max | 48.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252, (D-Pak) |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru