SUD19P06-60
Версия для печати P-channel 60-v (d-s) mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
SUD19P06-60 (VISHAY) | 1 | 477.40 руб. | |
Технические характеристики SUD19P06-60
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 10A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1710pF @ 25V |
Power - Max | 2.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | TO-252, (D-Pak) |
SUD19P06-60 MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
||