SI4483ADY-T1-GE3
Версия для печатиНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
SI4483ADY-T1-GE3 | 8 | ||
Описание SI4483ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOICТехнические характеристики SI4483ADY-T1-GE3
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 10A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19.2A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V |
Power - Max | 5.9W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |