SI2312BDS-T1-E3
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| SI2312BDS-T1-E3 | 2400 | 25.73 |
Технические характеристики SI2312BDS-T1-E3
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Power - Max | 750mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru