SI1305DL-T1-E3
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| SI1305DL-T1-E3 | 4 |
|
|
Технические характеристики SI1305DL-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 860mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Power - Max | 290mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70-3 |
