IRLML6302TR
Версия для печати
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML6302TR | 2000 | 4.03 руб. | |
| IRLML6302TRPBF (INFINEON) | 20000 | 20.07 руб. | |
Описание IRLML6302TR
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , теталоксидный
Напряжение сток/ исток 20В
Ток стока 780мА
Мощность 540мВт
Диапазон температур - 55 .... 150оС
Технические характеристики IRLML6302TR
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 780mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.6nC @ 4.45V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 97pF @ 15V |
| Power - Max | 540mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
||
