IRLML2803TR
Версия для печати
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, P=540mW), управление логич. уровнем.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML2803TR | 72 | 19.01 руб. | |
Описание IRLML2803TR
Силовой МОП-транзистор N-канальный
Vси = 30 В,
Rоткр = 0.25 Ом,
Id(25oC) = 1.2 A
Корпус MICRO 3 (SOT-23)
Технические характеристики IRLML2803TR
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 910mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 85pF @ 25V |
| Power - Max | 540mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, P=540mW, -55 to +150C), управление логич. уровнем.
|
||
