IRLML2803
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFETНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML2803 (HOTTECH) | 11200 | 10.63 руб. | |
Технические характеристики IRLML2803
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 910mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 85pF @ 25V |
| Power - Max | 540mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
|
IRLML6402 HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRLML2803
Производитель:
|
||
