IRL530N
Версия для печати Транзистор полевой N-канальный 100В 17A logicНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRL530N | 1 | 249.22 руб. | |
Технические характеристики IRL530N
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRL530NS 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL530NL, IRL530NSTRL, IRL530NSTRR
Производитель:
|
||