IRFZ48N
Версия для печати
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm (max), P=140 W, -55 to +175C).Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFZ48N (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 266 | 159.12 руб. | |
Описание IRFZ48N
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Максимальный ток стока 64А
Максимальное напряжение сток-исток 55V
Сопротивление сток-исток (откр.)< 0,014 om
Максимальная мощность рассеивания 130W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uAТок утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 12/34nS (тип.)
Время восстановления диода 68nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 1970/470pF
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур -55..+175oC
Технические характеристики IRFZ48N
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 32A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 64A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1970pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRFZ48N Мощные полевые МОП транзисторы N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
Производитель:
|
||
