IRFZ44N

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFZ44N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 800 122.40 руб. 

Описание IRFZ44N

Структура  N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В  55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А  49
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В  ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм  17.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики S,мА/В 15000

Технические характеристики IRFZ44N

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchMOS™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 49A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 25V
Power - Max 110W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
IRFZ44N

N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com

irfz44n.pdf
67.51Kb
8стр.