IRFS4115PBF
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (150V, 99A, 375W 0.0121R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFS4115PBF | 50 | 620.93 руб. | |
Технические характеристики IRFS4115PBF
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1 mOhm @ 62A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 195A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
| Power - Max | 375W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRFS4115PbF MOSFET 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Производитель:
|
||
