IRFR3412
Версия для печати
Hexfet power mosfets discrete n-channelНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR3412 | 3 | 126.72 руб. | |
Технические характеристики IRFR3412
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 29A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 48A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 89nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3430pF @ 25V |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR3412 Дискретные сигналы Smps Mosfet
Производитель:
|
||
