IRFR024N
Версия для печати
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR024N | 8000 | 17.57 руб. | |
Технические характеристики IRFR024N
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR024N 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package
Производитель:
|
||
