IRFPC50PBF
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 11A, 180W, 0.6R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFPC50PBF (VISHAY) | 352 | 590.40 руб. | |
Технические характеристики IRFPC50PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Power - Max | 180W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFPC50PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
