IRFP460PBF
Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRFP460PBF | 269 | 239.60 руб. | |
Технические характеристики IRFP460PBF
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 12A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Power - Max | 280W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247-3 |
IRFP460PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||