IRFL4310
Версия для печати
Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFL4310 | 2000 | 15.91 руб. | |
Технические характеристики IRFL4310
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
|
IRFL4310 N-канальные транзисторные модули Power MOSFET
Производитель:
|
||
