IRFHM830DTRPBF

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFHM830DTRPBF (INFINEON) 2 70.85 руб. 

Описание IRFHM830DTRPBF

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Технические характеристики IRFHM830DTRPBF

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 20A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1797pF @ 25V
Power - Max 2.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-VQFN Exposed Pad
Корпус PQFN (3x3)