IRFD320
Версия для печати
Транзистор полевой N канальный , 400В, 0.3А, 1ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFD320PBF | 1480 | 89.45 руб. | |
Описание IRFD320
Транзистор полевой N канальный
Напряжение сток/исток 400В
Ток стока максимальный 0.49А
Мощность максимальная 1Вт
Диапазон температур - 55 ... 150оС
Технические характеристики IRFD320
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 210mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 490mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 410pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
|
IRFD320 MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
