IRFBG30PBF
Версия для печати
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to +150C), Pb-free.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFBG30PBF | 1580 | 111.54 руб. | |
Технические характеристики IRFBG30PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 980pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFBG30PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
