IRFB38N20D
Версия для печати
Транзистор полевойНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFB38N20D | 712 | 107.64 руб. | |
Технические характеристики IRFB38N20D
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 26A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 43A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 91nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFB38N20D Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||
