IRF7420
Версия для печати
Hexfet power mosfets discrete p-channelНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7420 | 2080 | 32.60 руб. | |
Технические характеристики IRF7420
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3529pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7420 MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
||
