IRF740A
Версия для печати Транзистор полевой MOSFET, N-канальный 400В, 10АНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF740A | 800 | 157.50 руб. | |
Описание IRF740A
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики S,мА/В 4900
Корпус TO220AB
Пороговое напряжение на затворе 4
Технические характеристики IRF740A
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1030pF @ 25V |
Power - Max | 125W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRF740AS Дискретные сигналы 400V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF740AL, IRF740ASTRR
Производитель:
|
||