IRF540N
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 R@Vgs=10V, P=140W, -55 to 175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF540N | 670 | 90.82 руб. | |
Описание IRF540N
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Технические характеристики IRF540N
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Power - Max | 130W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF540NL N-канальные транзисторные модули Power MOSFET (Vdss=100V, Rds (on) =44mohm, Id=33A) Также в этом файле: IRF540NS
Производитель:
|
||
